Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FCH040N65S3-F155

FCH040N65S3-F155

Nur als Referenz

Teilenummer FCH040N65S3-F155
PNEDA Teilenummer FCH040N65S3-F155
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.588
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 13 - Mai 18 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FCH040N65S3-F155 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFCH040N65S3-F155
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FCH040N65S3-F155, FCH040N65S3-F155 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 507,75 KB)
PDFFCH040N65S3-F155 Datenblatt Cover
FCH040N65S3-F155 Datenblatt Seite 2 FCH040N65S3-F155 Datenblatt Seite 3 FCH040N65S3-F155 Datenblatt Seite 4 FCH040N65S3-F155 Datenblatt Seite 5 FCH040N65S3-F155 Datenblatt Seite 6 FCH040N65S3-F155 Datenblatt Seite 7 FCH040N65S3-F155 Datenblatt Seite 8 FCH040N65S3-F155 Datenblatt Seite 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • FCH040N65S3-F155 Datasheet
  • where to find FCH040N65S3-F155
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FCH040N65S3-F155
  • FCH040N65S3-F155 PDF Datasheet
  • FCH040N65S3-F155 Stock

  • FCH040N65S3-F155 Pinout
  • Datasheet FCH040N65S3-F155
  • FCH040N65S3-F155 Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FCH040N65S3-F155 Price
  • FCH040N65S3-F155 Distributor

FCH040N65S3-F155 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieSuperFET® III
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.65A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 6.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs136nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds4740pF @ 400V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)417W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-247-3
Paket / FallTO-247-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

BSS205NH6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 11µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.2nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

419pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

500mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

IPA65R660CFDXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

660mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

615pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

27.8W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220 Full Pack

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

STD8NM50N

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

790mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

364pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

45W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SI4362BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

29A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.6mOhm @ 19.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

115nC @ 10V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4800pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3W (Ta), 6.6W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IPD30N10S3L34ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

31mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 29µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1976pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

57W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Kürzlich verkauft

PIC18F25K22-I/SO

PIC18F25K22-I/SO

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 32KB FLASH 28SOIC

MM74HC163N

MM74HC163N

ON Semiconductor

IC COUNTER BINARY PRESET 16-DIP

STM32L433CCU6

STM32L433CCU6

STMicroelectronics

IC MCU 32BIT 256KB FLASH 48QFPN

LTM8074IY#PBF

LTM8074IY#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG BUCK ADJ 1.2A 25BGA

RK7002BMT116

RK7002BMT116

Rohm Semiconductor

MOSFET N-CH 60V 0.25A SST3

TPSC107K010R0200

TPSC107K010R0200

CAP TANT 100UF 10% 10V 2312

MM3Z4V7T1G

MM3Z4V7T1G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 4.7V 300MW SOD323

IRFR5305TRPBF

IRFR5305TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 55V 31A DPAK

B350B-13-F

B350B-13-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 50V 3A SMB

BNX022-01L

BNX022-01L

Murata

FILTER LC 1UF SMD

ASDXRRX005KGAA5

ASDXRRX005KGAA5

Honeywell Sensing and Productivity Solutions

SENSOR PRESSURE DIFF

FDS4935BZ

FDS4935BZ

ON Semiconductor

MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC