FCP099N65S3
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| Teilenummer | FCP099N65S3 |
| PNEDA Teilenummer | FCP099N65S3 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.060 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 28 - Jun 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FCP099N65S3 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FCP099N65S3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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FCP099N65S3 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | SuperFET® III |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 30A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 3mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2480pF @ 400V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 227W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220-3 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 115mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 225mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 15A (Ta), 85A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.08W (Ta), 100W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket UltraSO-8™ Paket / Fall 3-PowerSMD, Flat Leads |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 43A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.8mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1150pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 71W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D-PAK (TO-252AA) Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.3nC @ 10V Vgs (Max) 30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 415pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 80W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DPAK Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie TrenchMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 67mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC @ 10V Vgs (Max) ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 32.6W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DPAK Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
