FDA75N28
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| Teilenummer | FDA75N28 |
| PNEDA Teilenummer | FDA75N28 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 280V 75A TO-3P |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.388 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FDA75N28 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FDA75N28 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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FDA75N28 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | UniFET™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 280V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 75A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 37.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 144nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6700pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 520W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-3PN |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 17A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 5V Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 79W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D-Pak Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 14A (Ta), 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 35µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5100pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-TSDSON-8 Paket / Fall 8-PowerVDFN |
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