FDD86326
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| Teilenummer | FDD86326 |
| PNEDA Teilenummer | FDD86326 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 80V TRENCH DPAK |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 53.028 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FDD86326 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FDD86326 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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FDD86326 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 8A (Ta), 37A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1035pF @ 50V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3.1W (Ta), 62W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D-PAK (TO-252) |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie CoolMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 17.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 7.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 730µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1850pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 151W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263AB) Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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