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FDH055N15A

FDH055N15A

Nur als Referenz

Teilenummer FDH055N15A
PNEDA Teilenummer FDH055N15A
Beschreibung MOSFET N-CH 150V TO-247-3
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 5.940
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 24 - Mai 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FDH055N15A Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDH055N15A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FDH055N15A, FDH055N15A Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 435,77 KB)
PDFFDH055N15A Datenblatt Cover
FDH055N15A Datenblatt Seite 2 FDH055N15A Datenblatt Seite 3 FDH055N15A Datenblatt Seite 4 FDH055N15A Datenblatt Seite 5 FDH055N15A Datenblatt Seite 6 FDH055N15A Datenblatt Seite 7 FDH055N15A Datenblatt Seite 8 FDH055N15A Datenblatt Seite 9 FDH055N15A Datenblatt Seite 10

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FDH055N15A Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)150V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.158A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.9mOhm @ 120A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs92nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds9445pF @ 75V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)429W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-247-3
Paket / FallTO-247-3

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GP1M016A025CG

Global Power Technologies Group

Hersteller

Global Power Technologies Group

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

240mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

944pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

93.9W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

HAT2116H-EL-E

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.2mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1650pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

15W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LFPAK

Paket / Fall

SC-100, SOT-669

IXFX60N25Q

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

94-2386

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

49A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1470pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 94W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRLZ44NPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

47A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 110W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

Kürzlich verkauft

3214W-1-502E

3214W-1-502E

Bourns

TRIMMER 5K OHM 0.25W J LEAD TOP

3314J-1-103E

3314J-1-103E

Bourns

TRIMMER 10K OHM 0.25W J LEAD TOP

3314G-1-103E

3314G-1-103E

Bourns

TRIMMER 10K OHM 0.25W GW TOP ADJ

SRP4020-2R2M

SRP4020-2R2M

Bourns

FIXED IND 2.2UH 3.9A 40 MOHM SMD

IHLP2525CZERR33M01

IHLP2525CZERR33M01

Vishay Dale

FIXED IND 330NH 20A 3.9 MOHM SMD

CDRH124NP-100MC

CDRH124NP-100MC

Sumida

FIXED IND 10UH 4.5A 28 MOHM SMD

HCTI-10-20.0

HCTI-10-20.0

Signal Transformer

FIXED IND 10UH 20A 5 MOHM TH

IHLP6767GZER8R2M11

IHLP6767GZER8R2M11

Vishay Dale

FIXED IND 8.2UH 21A 8.1 MOHM SMD

MAMK2520T2R2M

MAMK2520T2R2M

Taiyo Yuden

FIXED IND 2.2UH 1.9A 117 MOHM

74279221111

74279221111

Wurth Electronics

FERRITE BEAD 110 OHM 1206 1LN

ACF451832-153-TD01

ACF451832-153-TD01

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FILTER LC(T) SMD

BNX023-01L

BNX023-01L

Murata

FILTER LC 1UF SMD