Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FDH27N50

FDH27N50

Nur als Referenz

Teilenummer FDH27N50
PNEDA Teilenummer FDH27N50
Beschreibung MOSFET N-CH 500V 27A TO-247
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.852
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 23 - Mai 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FDH27N50 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDH27N50
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FDH27N50, FDH27N50 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 183,13 KB)
PDFFDH27N50 Datenblatt Cover
FDH27N50 Datenblatt Seite 2 FDH27N50 Datenblatt Seite 3 FDH27N50 Datenblatt Seite 4 FDH27N50 Datenblatt Seite 5 FDH27N50 Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • FDH27N50 Datasheet
  • where to find FDH27N50
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FDH27N50
  • FDH27N50 PDF Datasheet
  • FDH27N50 Stock

  • FDH27N50 Pinout
  • Datasheet FDH27N50
  • FDH27N50 Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FDH27N50 Price
  • FDH27N50 Distributor

FDH27N50 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.27A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs190mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs67nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3550pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)450W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-247-3
Paket / FallTO-247-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

STK28N3LLH5

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ V

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

28A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±22V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

5.2W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PolarPak®

Paket / Fall

PolarPak®

STL140N4LLF5

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ V

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

140A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.75mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±22V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5900pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

80W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerFlat™ (5x6)

Paket / Fall

8-PowerVDFN

NDF08N50ZH

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

850mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1095pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

35W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

EFC4621R-A-TR

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

EFCP1818-4CE-22

Paket / Fall

4-XFBGA

IRFL4315TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.6A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

185mOhm @ 1.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

420pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.8W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-223

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Kürzlich verkauft

B340A-E3/61T

B340A-E3/61T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC

BA30BC0WFP-E2

BA30BC0WFP-E2

Rohm Semiconductor

IC REG LINEAR 3V 1A TO252-5

SD066-24-21-011

SD066-24-21-011

Advanced Photonix

SENSOR PHOTODIODE 660NM TO46

LTC3400BES6#TRMPBF

LTC3400BES6#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG BOOST ADJ 600MA TSOT23-6

MAX8556ETE+

MAX8556ETE+

Maxim Integrated

IC REG LINEAR POS ADJ 4A 16TQFN

LV8548MC-AH

LV8548MC-AH

ON Semiconductor

IC MOTOR DRIVER PAR MFP10S

BSS138

BSS138

MICROSS/On Semiconductor

MOSFET N-CH 50V 220MA DIE

MTFC8GAKAJCN-4M IT

MTFC8GAKAJCN-4M IT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 64G MMC

SMCJ24CAHE3/57T

SMCJ24CAHE3/57T

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 24V 38.9V DO214AB

BNX022-01L

BNX022-01L

Murata

FILTER LC 1UF SMD

M24512-RMC6TG

M24512-RMC6TG

STMicroelectronics

IC EEPROM 512K I2C 1MHZ 8UFDFPN

NTHD4102PT1G

NTHD4102PT1G

ON Semiconductor

MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET