Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FDMQ8203

FDMQ8203

Nur als Referenz

Teilenummer FDMQ8203
PNEDA Teilenummer FDMQ8203
Beschreibung MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 26.676
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 22 - Mai 27 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FDMQ8203 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDMQ8203
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FDMQ8203, FDMQ8203 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 387,61 KB)
PDFFDMQ8203 Datenblatt Cover
FDMQ8203 Datenblatt Seite 2 FDMQ8203 Datenblatt Seite 3 FDMQ8203 Datenblatt Seite 4 FDMQ8203 Datenblatt Seite 5 FDMQ8203 Datenblatt Seite 6 FDMQ8203 Datenblatt Seite 7 FDMQ8203 Datenblatt Seite 8 FDMQ8203 Datenblatt Seite 9 FDMQ8203 Datenblatt Seite 10

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • FDMQ8203 Datasheet
  • where to find FDMQ8203
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FDMQ8203
  • FDMQ8203 PDF Datasheet
  • FDMQ8203 Stock

  • FDMQ8203 Pinout
  • Datasheet FDMQ8203
  • FDMQ8203 Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FDMQ8203 Price
  • FDMQ8203 Distributor

FDMQ8203 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieGreenBridge™ PowerTrench®
FET-Typ2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)100V, 80V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3.4A, 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs110mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds210pF @ 50V
Leistung - max2.5W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall12-WDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket12-MLP (5x4.5)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SI1965DH-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

390mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.2nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

120pF @ 6V

Leistung - max

1.25W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-70-6 (SOT-363)

SQJ914EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1110pF @ 15V

Leistung - max

27W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8 Dual

SIA931DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

445pF @ 15V

Leistung - max

7.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SC-70-6 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SC-70-6 Dual

UT6JA2TCR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

305pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-PowerUDFN

Lieferantengerätepaket

HUML2020L8

APTC60AM70T1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

39A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 39A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 2.7mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

259nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7000pF @ 25V

Leistung - max

250W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

Kürzlich verkauft

MC68HC908GP32CFB

MC68HC908GP32CFB

NXP

IC MCU 8BIT 32KB FLASH 44QFP

ESDR0502NMUTBG

ESDR0502NMUTBG

ON Semiconductor

TVS DIODE 5.5V 6UDFN

DS1216C

DS1216C

Maxim Integrated

IC SMART/RAM 5V 64K/256K 28-DIP

IRF630NPBF

IRF630NPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB

MAX3232EUE+

MAX3232EUE+

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16TSSOP

AD780ARZ

AD780ARZ

Analog Devices

IC VREF SERIES/SHUNT PROG 8SOIC

AO3407A

AO3407A

Alpha & Omega Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23

PI6C49X0204CWIE

PI6C49X0204CWIE

Diodes Incorporated

IC CLOCK BUFFER 1:4 200MHZ 8SOIC

LH1511BAB

LH1511BAB

Vishay Semiconductor Opto Division

SSR RELAY SPST-NC 200MA 0-200V

LT1308BIS8#TRPBF

LT1308BIS8#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG BST SEPIC ADJ 2A 8SOIC

NCP2820FCT1G

NCP2820FCT1G

ON Semiconductor

IC AMP AUDIO D 2.65W 9-FLIPCHIP

BZX84C3V3LT1G

BZX84C3V3LT1G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 3.3V 225MW SOT23-3