FDMS007N08LC
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| Teilenummer | FDMS007N08LC |
| PNEDA Teilenummer | FDMS007N08LC |
| Beschreibung | PTNG 80/20V IN 5X6CLIP |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.128 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FDMS007N08LC Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FDMS007N08LC |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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FDMS007N08LC Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 14A (Ta), 84A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7mOhm @ 21A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 120µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3100pF @ 40V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 92.6W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-PQFN (5x6) |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
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Hersteller ON Semiconductor Serie QFET® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05Ohm @ 1.45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 23W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220F Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 29A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 82nC @ 10V Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4730pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-PQFN (5x6) Paket / Fall 8-PowerVDFN |
Hersteller Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 116.1nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6771pF @ 20V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.3W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerDI5060-8 Paket / Fall 8-PowerTDFN |
Hersteller ON Semiconductor Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
Hersteller ON Semiconductor Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket LFPAK4 (5x6) Paket / Fall SC-100, SOT-669 |
