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FDMS3606AS

FDMS3606AS

Nur als Referenz

Teilenummer FDMS3606AS
PNEDA Teilenummer FDMS3606AS
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.550
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 11 - Mai 16 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FDMS3606AS Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDMS3606AS
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FDMS3606AS, FDMS3606AS Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 1.445,63 KB)
PDFFDMS3606AS Datenblatt Cover
FDMS3606AS Datenblatt Seite 2 FDMS3606AS Datenblatt Seite 3 FDMS3606AS Datenblatt Seite 4 FDMS3606AS Datenblatt Seite 5 FDMS3606AS Datenblatt Seite 6 FDMS3606AS Datenblatt Seite 7 FDMS3606AS Datenblatt Seite 8 FDMS3606AS Datenblatt Seite 9 FDMS3606AS Datenblatt Seite 10 FDMS3606AS Datenblatt Seite 11

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FDMS3606AS Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®
FET-Typ2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.13A, 27A
Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1695pF @ 15V
Leistung - max1W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerTDFN
LieferantengerätepaketPower56

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 7.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.3nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 10V

Leistung - max

1.6W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

NTJD2152PT2G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

8V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

775mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 570mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

225pF @ 8V

Leistung - max

270mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-88/SC70-6/SOT-363

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.8A, 7.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 20V

Leistung - max

3W, 3.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

SH8K51GZETB

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

35V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.6nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 10V

Leistung - max

1.4W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

IRF7307PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.2A, 4.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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