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FDP7N60NZ

FDP7N60NZ

Nur als Referenz

Teilenummer FDP7N60NZ
PNEDA Teilenummer FDP7N60NZ
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 6.5A TO-220
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 22.788
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 19 - Jun 24 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FDP7N60NZ Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDP7N60NZ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FDP7N60NZ, FDP7N60NZ Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 728,2 KB)
PDFFDPF7N60NZT Datenblatt Cover
FDPF7N60NZT Datenblatt Seite 2 FDPF7N60NZT Datenblatt Seite 3 FDPF7N60NZT Datenblatt Seite 4 FDPF7N60NZT Datenblatt Seite 5 FDPF7N60NZT Datenblatt Seite 6 FDPF7N60NZT Datenblatt Seite 7 FDPF7N60NZT Datenblatt Seite 8 FDPF7N60NZT Datenblatt Seite 9 FDPF7N60NZT Datenblatt Seite 10 FDPF7N60NZT Datenblatt Seite 11

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FDP7N60NZ Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieUniFET-II™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.25Ohm @ 3.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds730pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)147W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220-3
Paket / FallTO-220-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

137mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

339pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

53W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

IPP030N10N3GHKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 275µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

206nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14800pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

Paket / Fall

TO-220-3

FQP44N08

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

44A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1430pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

127W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

IXTY8N70X2

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

700V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRFHM8235TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1040pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3W (Ta), 30W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-PQFN (3.3x3.3), Power33

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Kürzlich verkauft

DTC114EM3T5G

DTC114EM3T5G

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TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723

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TL431ACLPG

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IC VREF SHUNT ADJ TO92-3

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MF-USMF075-2

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MF-MSMF075-2

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Bourns

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HCPL-181-060E

HCPL-181-060E

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HCM0703-4R7-R

HCM0703-4R7-R

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MAX660ESA+

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IC REG CHARGE PUMP INV 8SOIC

MBT3906DW1T1G

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TRANS 2PNP 40V 0.2A SC88

CG0603MLC-05LE

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VARISTOR 0603

DSPIC30F4011-30I/PT

DSPIC30F4011-30I/PT

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IC MCU 16BIT 48KB FLASH 44TQFP