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FDR8308P

FDR8308P

Nur als Referenz

Teilenummer FDR8308P
PNEDA Teilenummer FDR8308P
Beschreibung MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SSOT-8
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.316
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FDR8308P Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDR8308P
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FDR8308P, FDR8308P Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 112,13 KB)
PDFFDR8308P Datenblatt Cover
FDR8308P Datenblatt Seite 2 FDR8308P Datenblatt Seite 3 FDR8308P Datenblatt Seite 4 FDR8308P Datenblatt Seite 5

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FDR8308P Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1240pF @ 10V
Leistung - max800mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
LieferantengerätepaketSuperSOT™-8

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Advanced Linear Devices Inc.

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FET-Typ

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3pF @ 5V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

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FET-Typ

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FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.8A, 7.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26.5mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1050pF @ 15V

Leistung - max

3.57W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

PQFN (5x6)

DN2625DK6-G

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Depletion Mode

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 1A, 0V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.04nC @ 1.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 25V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 9.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8 Dual

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 7.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2152pF @ 10V

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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