FDS6675BZ
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Teilenummer | FDS6675BZ |
PNEDA Teilenummer | FDS6675BZ |
Beschreibung | MOSFET P-CH 30V 8-SOIC |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 228.066 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FDS6675BZ Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | FDS6675BZ |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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FDS6675BZ Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | PowerTrench® |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 11A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2470pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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