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FDS9958-F085

FDS9958-F085

Nur als Referenz

Teilenummer FDS9958-F085
PNEDA Teilenummer FDS9958-F085
Beschreibung MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 66.138
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FDS9958-F085 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDS9958-F085
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FDS9958-F085, FDS9958-F085 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 441,49 KB)
PDFFDS9958-F085 Datenblatt Cover
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FDS9958-F085 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs105mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1020pF @ 30V
Leistung - max900mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Hersteller

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Serie

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FET-Typ

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FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 6.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 10V

Leistung - max

10.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

37mOhm @ 4.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.7nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

265pF @ 10V

Leistung - max

510mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-UDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

57mOhm @ 2.3A, 2.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

750mV @ 11µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.7nC @ 2.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

259pF @ 10V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

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IRFI4024H-117P

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 7.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

320pF @ 50V

Leistung - max

14W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

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