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FDW2501NZ

FDW2501NZ

Nur als Referenz

Teilenummer FDW2501NZ
PNEDA Teilenummer FDW2501NZ
Beschreibung MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8TSSOP
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 4.626
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FDW2501NZ Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDW2501NZ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FDW2501NZ, FDW2501NZ Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 224,96 KB)
PDFFDW2501NZ Datenblatt Cover
FDW2501NZ Datenblatt Seite 2 FDW2501NZ Datenblatt Seite 3 FDW2501NZ Datenblatt Seite 4 FDW2501NZ Datenblatt Seite 5

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FDW2501NZ Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1286pF @ 10V
Leistung - max600mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket8-TSSOP

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

SIA911EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

101mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

7.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SC-70-6 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SC-70-6 Dual

FDMS7620S-F106

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10.1A, 12.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 10.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

608pF @ 15V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Sub-Base Mount

Paket / Fall

8-PowerWDFN

Lieferantengerätepaket

Power56

DMTH6010LPDQ-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13.1A (Ta), 47.6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40.2nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2615pF @ 30V

Leistung - max

2.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

PowerDI5060-8

SIA913ADJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

61mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

590pF @ 6V

Leistung - max

6.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SC-70-6 Dual

Lieferantengerätepaket

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