FF200R12KE4PHOSA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | FF200R12KE4PHOSA1 |
| PNEDA Teilenummer | FF200R12KE4PHOSA1 |
| Beschreibung | MOD IGBT MED PWR 62MM-1 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.934 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 13 - Jun 18 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FF200R12KE4PHOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FF200R12KE4PHOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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FF200R12KE4PHOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | * |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Konfiguration | Half Bridge |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 200A |
| Leistung - max | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 200A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 5mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 14nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 112A Leistung - max 543W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 70A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1.1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 7.26nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SOT-227-4 Lieferantengerätepaket SOT-227 |
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