FF225R17ME4BOSA1
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| Teilenummer | FF225R17ME4BOSA1 |
| PNEDA Teilenummer | FF225R17ME4BOSA1 |
| Beschreibung | IGBT MODULE VCES 1200V 225A |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.282 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 17 - Jun 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FF225R17ME4BOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FF225R17ME4BOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
FF225R17ME4BOSA1, FF225R17ME4BOSA1 Datenblatt
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FF225R17ME4BOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Konfiguration | 2 Independent |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1700V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 340A |
| Leistung - max | 1500W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 225A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 3mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 18.5nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 270A Leistung - max 1130W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 11nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Y3-DCB Lieferantengerätepaket Y3-DCB |
