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FF300R17ME4B11BOSA1

FF300R17ME4B11BOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer FF300R17ME4B11BOSA1
PNEDA Teilenummer FF300R17ME4B11BOSA1
Beschreibung IGBT MODULE VCES 600V 300A
Hersteller Infineon Technologies
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FF300R17ME4B11BOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFF300R17ME4B11BOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
FF300R17ME4B11BOSA1, FF300R17ME4B11BOSA1 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 687,95 KB)
PDFFF300R17ME4B11BOSA1 Datenblatt Cover
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FF300R17ME4B11BOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Konfiguration2 Independent
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1700V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)375A
Leistung - max1800W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 300A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)3mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce24.5nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

6nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

SP1

VS-CPV363M4UPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

13A

Leistung - max

36W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 6.8A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.1nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

19-SIP (13 Leads), IMS-2

Lieferantengerätepaket

IMS-2

IFF2400P17LE4BPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 65°C (TA)

Montagetyp

-

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

DF160R12W2H3_B11

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

DF100R07W1H5FPB53BPSA2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

EasyPACK™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

2 Independent

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Leistung - max

20mW

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.55V @ 15V, 25A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

40µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2.8nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

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