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FF900R12IP4DBOSA2

FF900R12IP4DBOSA2

Nur als Referenz

Teilenummer FF900R12IP4DBOSA2
PNEDA Teilenummer FF900R12IP4DBOSA2
Beschreibung IGBT MODULE VCES 1200V 900A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.830
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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FF900R12IP4DBOSA2 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFF900R12IP4DBOSA2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
FF900R12IP4DBOSA2, FF900R12IP4DBOSA2 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 1.714,34 KB)
PDFFF900R12IP4DBOSA2 Datenblatt Cover
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FF900R12IP4DBOSA2 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SeriePrimePack™2
IGBT-TypTrench Field Stop
Konfiguration2 Independent
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)900A
Leistung - max5100W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.05V @ 15V, 900A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce54nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Three Phase Inverter with Brake

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

38A

Leistung - max

104W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 30A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.6nF @ 25V

Eingabe

Three Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

E1

Lieferantengerätepaket

E1

FS25R12W1T4BOMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Leistung - max

205W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 25A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.45nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FF150R12ME3GBOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single Chopper

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Leistung - max

695W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

10.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FP7G75US60

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Power-SPM™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Leistung - max

310W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.515nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

EPM7

Lieferantengerätepaket

EPM7

CM75DY-28H

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Leistung - max

600W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.2V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

15nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

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