FGA25N120ANDTU
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| Teilenummer | FGA25N120ANDTU |
| PNEDA Teilenummer | FGA25N120ANDTU |
| Beschreibung | IGBT 1200V 40A 310W TO3P |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.060 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FGA25N120ANDTU Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGA25N120ANDTU |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGA25N120ANDTU Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 40A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 75A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 25A |
| Leistung - max | 310W |
| Schaltenergie | 4.8mJ (on), 1mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 200nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 60ns/170ns |
| Testbedingung | 600V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 350ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-3P |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 25A Leistung - max 385W Schaltenergie 1.95mJ (on), 600µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 178nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 87ns/179ns Testbedingung 600V, 25A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 154ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
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