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FGA25N120ANTDTU

FGA25N120ANTDTU

Nur als Referenz

Teilenummer FGA25N120ANTDTU
PNEDA Teilenummer FGA25N120ANTDTU
Beschreibung IGBT 1200V 50A 312W TO3P
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 20.916
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FGA25N120ANTDTU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGA25N120ANTDTU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGA25N120ANTDTU, FGA25N120ANTDTU Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 1.382,87 KB)
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FGA25N120ANTDTU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypNPT and Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)90A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.65V @ 15V, 50A
Leistung - max312W
Schaltenergie4.1mJ (on), 960µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge200nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.50ns/190ns
Testbedingung600V, 25A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)350ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3
LieferantengerätepaketTO-3P

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Leistung - max

290W

Schaltenergie

1mJ (on), 520µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/126ns

Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

61ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IXBX55N300

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

130A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

600A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 55A

Leistung - max

625W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

335nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

1.9µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™, Lightspeed™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

90µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/60ns

Testbedingung

480V, 12A, 18Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 12A

Leistung - max

75W

Schaltenergie

5.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

24nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/680ns

Testbedingung

960V, 12A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263 (IXGA)

IRG7PK42UD1PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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