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FGA70N30TTU

FGA70N30TTU

Nur als Referenz

Teilenummer FGA70N30TTU
PNEDA Teilenummer FGA70N30TTU
Beschreibung IGBT 300V 201W TO3P
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 2.106
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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FGA70N30TTU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGA70N30TTU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGA70N30TTU, FGA70N30TTU Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 555,31 KB)
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FGA70N30TTU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)300V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Strom - Kollektor gepulst (Icm)160A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.5V @ 15V, 20A
Leistung - max201W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge125nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3
LieferantengerätepaketTO-3PN

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

64A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 9A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

70µJ (on), 600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

24ns/190ns

Testbedingung

480V, 9A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

FGB3040G2-F085C

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

41A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.25V @ 4V, 6A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

21nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

900ns/4.8µs

Testbedingung

5V, 470Ohm

Reverse Recovery Time (trr)

1.9µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D²PAK-3 (TO-263-3)

APT100GN60B2G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

229A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 100A

Leistung - max

625W

Schaltenergie

4.7mJ (on), 2.675mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

600nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/310ns

Testbedingung

400V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

-

HGT1S20N36G3VL

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

395V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

37.7A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 5V, 20A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

28.7nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/15µs

Testbedingung

300V, 10A, 25Ohm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Lieferantengerätepaket

I2PAK (TO-262)

HGTG27N120BN

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

72A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

216A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 27A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

2.2mJ (on), 2.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

270nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

24ns/195ns

Testbedingung

960V, 27A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

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