Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FGA90N30TU

FGA90N30TU

Nur als Referenz

Teilenummer FGA90N30TU
PNEDA Teilenummer FGA90N30TU
Beschreibung IGBT 300V 90A 219W TO3P
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 5.454
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 15 - Jun 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FGA90N30TU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGA90N30TU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGA90N30TU, FGA90N30TU Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 821,39 KB)
PDFFGA90N30TU Datenblatt Cover
FGA90N30TU Datenblatt Seite 2 FGA90N30TU Datenblatt Seite 3 FGA90N30TU Datenblatt Seite 4 FGA90N30TU Datenblatt Seite 5 FGA90N30TU Datenblatt Seite 6 FGA90N30TU Datenblatt Seite 7 FGA90N30TU Datenblatt Seite 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • FGA90N30TU Datasheet
  • where to find FGA90N30TU
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FGA90N30TU
  • FGA90N30TU PDF Datasheet
  • FGA90N30TU Stock

  • FGA90N30TU Pinout
  • Datasheet FGA90N30TU
  • FGA90N30TU Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FGA90N30TU Price
  • FGA90N30TU Distributor

FGA90N30TU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)300V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)90A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)220A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.4V @ 15V, 20A
Leistung - max219W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge87nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3
LieferantengerätepaketTO-3P

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

APT100GN60B2G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

229A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 100A

Leistung - max

625W

Schaltenergie

4.7mJ (on), 2.675mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

600nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/310ns

Testbedingung

400V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

-

STGWA80H65DFB

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 80A

Leistung - max

469W

Schaltenergie

2.1mJ (on), 1.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

414nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

84ns/280ns

Testbedingung

400V, 80A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

85ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 Long Leads

FGH20N6S2D

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

28A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 7A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

25µJ (on), 58µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

30nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

7.7ns/87ns

Testbedingung

390V, 7A, 25Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

31ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

370A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.35V @ 15V, 44A

Leistung - max

330W

Schaltenergie

1mJ (on), 3.75mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

140nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/310ns

Testbedingung

480V, 44A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

IRG7CH11K10EF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Kürzlich verkauft

MT41K128M16JT-125 XIT:K

MT41K128M16JT-125 XIT:K

Micron Technology Inc.

IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

SMBJ36A-13-F

SMBJ36A-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 36V 58.1V SMB

MBRD1035CTLG

MBRD1035CTLG

ON Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V 5A DPAK

MM3Z5V1ST1G

MM3Z5V1ST1G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 5.1V 300MW SOD323

MURS160T3G

MURS160T3G

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 2A SMB

SD1127

SD1127

Microsemi

RF TRANS NPN 18V 175MHZ TO39

MS561101BA03-50

MS561101BA03-50

TE Connectivity Measurement Specialties

BAROMETRIC PRESSURE SENSOR

N25Q256A13ESF40G

N25Q256A13ESF40G

Micron Technology Inc.

IC FLASH 256M SPI 108MHZ 16SOP2

SMCJ24A-13-F

SMCJ24A-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 24V 38.9V SMC

CDBU0130L-HF

CDBU0130L-HF

Comchip Technology

DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 0603

MBR140SFT1G

MBR140SFT1G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123L

0217005.MXP

0217005.MXP

Littelfuse

FUSE GLASS 5A 250VAC 5X20MM