FGB20N60SFD-F085
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| Teilenummer | FGB20N60SFD-F085 |
| PNEDA Teilenummer | FGB20N60SFD-F085 |
| Beschreibung | IGBT 600V 40A 208W D2PAK |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 25.050 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 18 - Jun 23 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FGB20N60SFD-F085 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGB20N60SFD-F085 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
FGB20N60SFD-F085, FGB20N60SFD-F085 Datenblatt
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FGB20N60SFD-F085 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| IGBT-Typ | Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 40A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 60A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.85V @ 15V, 20A |
| Leistung - max | 208W |
| Schaltenergie | 310µJ (on), 130µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 63nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 10ns/90ns |
| Testbedingung | 400V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 111ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | D²PAK |
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Hersteller ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 IGBT-Typ Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 60A Leistung - max 600W Schaltenergie 1.59mJ (on), 390µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 280nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/116ns Testbedingung 400V, 60A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 42ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller Littelfuse Inc. Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 390V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 50A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 4.5V, 20A Leistung - max 125W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/5µs Testbedingung 300V, 9A, 1kOhm, 5V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket DPAK |
Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 56A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 65A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 15A Leistung - max 250W Schaltenergie 130µJ (on), 120µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 55nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 8ns/29ns Testbedingung 400V, 15A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 22A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 20A Leistung - max 40W Schaltenergie 300µJ (on), 1.28mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 96nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 21.5ns/180ns Testbedingung 480V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FP |
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