FGB20N6S2D
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| Teilenummer | FGB20N6S2D |
| PNEDA Teilenummer | FGB20N6S2D |
| Beschreibung | IGBT 600V 28A 125W TO263AB |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.510 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FGB20N6S2D Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGB20N6S2D |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGB20N6S2D Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 28A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 40A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 7A |
| Leistung - max | 125W |
| Schaltenergie | 25µJ (on), 58µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 30nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 7.7ns/87ns |
| Testbedingung | 390V, 7A, 25Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 31ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | TO-263AB |
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Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 15A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.75V @ 15V, 3A Leistung - max 65W Schaltenergie 55µJ (on), 85µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 19nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 17ns/72ns Testbedingung 390V, 3A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
