FGB7N60UNDF
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| Teilenummer | FGB7N60UNDF |
| PNEDA Teilenummer | FGB7N60UNDF |
| Beschreibung | IGBT 600V 14A 83W D2PAK |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.148 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 21 - Jun 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FGB7N60UNDF Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGB7N60UNDF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGB7N60UNDF Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 14A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 21A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 7A |
| Leistung - max | 83W |
| Schaltenergie | 99µJ (on), 104µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 18nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 5.9ns/32.3ns |
| Testbedingung | 400V, 7A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 32.3ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | TO-263AB (D²PAK) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 320A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 40A Leistung - max 260W Schaltenergie 1.4mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 420nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/360ns Testbedingung 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 75A Leistung - max 595W Schaltenergie 1.5mJ (on), 1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 310nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 110ns/270ns Testbedingung 400V, 75A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 80ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
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Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 50A Leistung - max 250W Schaltenergie 3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 110nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/110ns Testbedingung 480V, 50A, 2.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall ISOPLUS247™ Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™ |
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