FGH15T120SMD-F155
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| Teilenummer | FGH15T120SMD-F155 |
| PNEDA Teilenummer | FGH15T120SMD-F155 |
| Beschreibung | IGBT 1200V 30A 333W TO247-3 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.584 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 6 - Jun 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FGH15T120SMD-F155 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGH15T120SMD-F155 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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FGH15T120SMD-F155 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 30A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 60A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 15A |
| Leistung - max | 333W |
| Schaltenergie | 1.15mJ (on), 460µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 128nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 32ns/490ns |
| Testbedingung | 600V, 15A, 34Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 72ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 Long Leads |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 220A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 450A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 150A Leistung - max 536W Schaltenergie 8.81mJ (on), 4.295mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 970nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 44ns/430ns Testbedingung 400V, 150A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Variant Lieferantengerätepaket - |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 50A Leistung - max 400W Schaltenergie 4.7mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 135nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/350ns Testbedingung 720V, 50A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket TO-268 |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 430V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 10V @ 26V, 200A Leistung - max 30W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/100ns Testbedingung 300V, 200A, 30Ohm, 26V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FL |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 300V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 90A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 220A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.4V @ 15V, 20A Leistung - max 219W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 87nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
