FGH40T70SHD-F155
Nur als Referenz
| Teilenummer | FGH40T70SHD-F155 |
| PNEDA Teilenummer | FGH40T70SHD-F155 |
| Beschreibung | 650V FS GEN3 TRENCH IGBT |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.260 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 31 - Jun 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FGH40T70SHD-F155 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGH40T70SHD-F155 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
FGH40T70SHD-F155, FGH40T70SHD-F155 Datenblatt
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FGH40T70SHD-F155 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 700V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 40A |
| Leistung - max | 268W |
| Schaltenergie | 1.15mJ (on), 271µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 69nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 22ns/66ns |
| Testbedingung | 400V, 40A, 6Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 37ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 10A Leistung - max 51W Schaltenergie 230µJ (on), 160µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 19.7nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 31ns/54ns Testbedingung 300V, 10A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 130ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket TO-252 |
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