FGH50N6S2
Nur als Referenz
| Teilenummer | FGH50N6S2 |
| PNEDA Teilenummer | FGH50N6S2 |
| Beschreibung | IGBT 600V 75A 463W TO247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.276 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FGH50N6S2 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGH50N6S2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGH50N6S2 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 75A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 240A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 463W |
| Schaltenergie | 260µJ (on), 250µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 70nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 13ns/55ns |
| Testbedingung | 390V, 30A, 3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie CooliRIGBT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 225A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 530A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 100A Leistung - max 1150W Schaltenergie 7.7mJ (on), 7.1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 250nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/153ns Testbedingung 600V, 100A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 6A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 25A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 3A Leistung - max 48W Schaltenergie 1.15mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 18nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 125µs/- Testbedingung 480V, 3A, 1kOhm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 1.7µs Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket DPAK |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 140A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 225A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A Leistung - max 454W Schaltenergie 2.47mJ (on), 2.16mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 150nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/200ns Testbedingung 400V, 75A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 155ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 43A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A Leistung - max 147W Schaltenergie 2.5mJ (on), 3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 76nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 70ns/250ns Testbedingung 600V, 25A, 39Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 9-SMD Module Lieferantengerätepaket ISOPLUS-SMPD™.B |
