FGH75T65SQDNL4
Nur als Referenz
| Teilenummer | FGH75T65SQDNL4 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | FGH75T65SQDNL4 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | 650V/75 FAST IGBT FSIII T | ||||||||||||||||||
| Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 1.241 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 21 - Mai 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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FGH75T65SQDNL4 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGH75T65SQDNL4 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGH75T65SQDNL4 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 200A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
| Leistung - max | 375W |
| Schaltenergie | 1.25mJ (on), 1.26mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 152nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 44ns/208ns |
| Testbedingung | 400V, 75A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 134ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-4 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-4L |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 6A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 12A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 2A Leistung - max 30W Schaltenergie 64µJ Eingabetyp Standard Gate Charge 14nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/259ns Testbedingung 400V, 2A, 118Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 130ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket PG-TO220-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 41A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 112A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 30A Leistung - max 250W Schaltenergie 1.29mJ Eingabetyp Standard Gate Charge 140nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 44ns/291ns Testbedingung 400V, 30A, 11Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 400ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 19A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 38A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 10A Leistung - max 60W Schaltenergie 320µJ (on), 2.58mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 27nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 62ns/690ns Testbedingung 480V, 10A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 37ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 40A Leistung - max 500W Schaltenergie 3.1mJ (on), 2.9mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 190nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 32ns/328ns Testbedingung 600V, 40A, 12Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3-46 |
