FGI3040G2-F085
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| Teilenummer | FGI3040G2-F085 |
| PNEDA Teilenummer | FGI3040G2-F085 |
| Beschreibung | ECOSPARK 2-400V IGNITION IGBT |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.960 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 23 - Mai 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FGI3040G2-F085 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGI3040G2-F085 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
FGI3040G2-F085, FGI3040G2-F085 Datenblatt
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FGI3040G2-F085 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK® |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 400V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 41A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.25V @ 4V, 6A |
| Leistung - max | 150W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Logic |
| Gate Charge | 21nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 900ns/4.8µs |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Lieferantengerätepaket | I2PAK (TO-262) |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 5A Leistung - max 29.4W Schaltenergie 130µJ (on), 60µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 11nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/40ns Testbedingung 300V, 5A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 100ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket TO-252 |
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Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 80A Leistung - max 469W Schaltenergie 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 414nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 84ns/280ns Testbedingung 400V, 80A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 85ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-4 Lieferantengerätepaket TO-247-4L |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1500V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 20A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 5.5V @ 10V, 5A Leistung - max 50W Schaltenergie 190µJ (on), 100µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 30nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 10ns/30ns Testbedingung 600V, 5A, 10Ohm, 10V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220F |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 60A Leistung - max 170W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. 330ns/700ns Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 2.5µs Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3PL Lieferantengerätepaket TO-3P(LH) |
