Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FGP5N60UFDTU

FGP5N60UFDTU

Nur als Referenz

Teilenummer FGP5N60UFDTU
PNEDA Teilenummer FGP5N60UFDTU
Beschreibung IGBT 600V 10A 81W TO220
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 8.946
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 9 - Jul 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FGP5N60UFDTU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGP5N60UFDTU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGP5N60UFDTU, FGP5N60UFDTU Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 705,11 KB)
PDFFGP5N60UFDTU Datenblatt Cover
FGP5N60UFDTU Datenblatt Seite 2 FGP5N60UFDTU Datenblatt Seite 3 FGP5N60UFDTU Datenblatt Seite 4 FGP5N60UFDTU Datenblatt Seite 5 FGP5N60UFDTU Datenblatt Seite 6 FGP5N60UFDTU Datenblatt Seite 7 FGP5N60UFDTU Datenblatt Seite 8 FGP5N60UFDTU Datenblatt Seite 9 FGP5N60UFDTU Datenblatt Seite 10

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • FGP5N60UFDTU Datasheet
  • where to find FGP5N60UFDTU
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FGP5N60UFDTU
  • FGP5N60UFDTU PDF Datasheet
  • FGP5N60UFDTU Stock

  • FGP5N60UFDTU Pinout
  • Datasheet FGP5N60UFDTU
  • FGP5N60UFDTU Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FGP5N60UFDTU Price
  • FGP5N60UFDTU Distributor

FGP5N60UFDTU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypField Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)10A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)15A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 5A
Leistung - max81W
Schaltenergie75µJ (on), 59µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge19.5nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.6ns/44ns
Testbedingung400V, 5A, 20Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)30ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

APT68GA60B2D40

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

121A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

202A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Leistung - max

520W

Schaltenergie

715µJ (on), 607µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

198nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/133ns

Testbedingung

400V, 40A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

-

IRG7PH30K10PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

33A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

27A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 9A

Leistung - max

210W

Schaltenergie

530µJ (on), 380µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

45nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

14ns/110ns

Testbedingung

600V, 9A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

IKA08N65F5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10.8A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 8A

Leistung - max

31.2W

Schaltenergie

70µJ (on), 20µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

22nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

10ns/116ns

Testbedingung

400V, 4A, 48Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

41ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

STGP6M65DF2

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

M

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 6A

Leistung - max

88W

Schaltenergie

40µJ (on), 136µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

21.2nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/86ns

Testbedingung

400V, 6A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

280A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 32A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

840µJ (on), 660µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

115nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/130ns

Testbedingung

480V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

Kürzlich verkauft

S558-5999-Q3-F

S558-5999-Q3-F

Bel Fuse

MODULE XFRMR LAN GIGABIT 48P SMD

2N3906BU

2N3906BU

ON Semiconductor

TRANS PNP 40V 0.2A TO-92

TSL2550T

TSL2550T

ams

SENSOR OPT 640NM AMBIENT 4SMD

AD694ARZ-REEL

AD694ARZ-REEL

Analog Devices

IC TRANSMITTER 4-20MA 16-SOIC

G8QE-1A DC12

G8QE-1A DC12

Omron Electronics Inc-EMC Div

RELAY AUTOMOTIVE SPST 10A 12V

W25Q16JVZPIQ TR

W25Q16JVZPIQ TR

Winbond Electronics

IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8WSON

MF-MSMF075-2

MF-MSMF075-2

Bourns

PTC RESET FUSE 13.2V 750MA 1812

S25FL208K0RMFI041

S25FL208K0RMFI041

Cypress Semiconductor

IC FLASH 8M SPI 76MHZ 8SOIC

PTH05050WAH

PTH05050WAH

Artesyn Embedded Technologies

DC DC CONVERTER 0.8-3.6V 21W

AOZ1284PI

AOZ1284PI

Alpha & Omega Semiconductor

IC REG BUCK ADJUSTABLE 4A 8SO

MBRS360T3G

MBRS360T3G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMC

KSZ8081RNBCA-TR

KSZ8081RNBCA-TR

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 32QFN