FGPF30N30TDTU
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| Teilenummer | FGPF30N30TDTU |
| PNEDA Teilenummer | FGPF30N30TDTU |
| Beschreibung | IGBT 300V 44.6W TO220F |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.914 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FGPF30N30TDTU Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGPF30N30TDTU |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGPF30N30TDTU Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 300V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 80A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.5V @ 15V, 10A |
| Leistung - max | 44.6W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 65nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 22ns/130ns |
| Testbedingung | 200V, 20A, 20Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 22ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Lieferantengerätepaket | TO-220F |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 15A Leistung - max 220W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 575ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop® IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 20A Leistung - max 170W Schaltenergie 690µJ Eingabetyp Standard Gate Charge 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 16ns/194ns Testbedingung 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263AB) |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie Alpha IGBT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 10A Leistung - max 163W Schaltenergie 260µJ (on), 70µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 17.4nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 10ns/72ns Testbedingung 400V, 10A, 30Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 105ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 85A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.75V @ 15V, 45A Leistung - max 297.6W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. 58ns/131ns Testbedingung 400V, 30A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 140ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 430V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 18A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 50A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 4V, 15A Leistung - max 115W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
