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FGPF7N60LSDTU

FGPF7N60LSDTU

Nur als Referenz

Teilenummer FGPF7N60LSDTU
PNEDA Teilenummer FGPF7N60LSDTU
Beschreibung IGBT 600V 14A 45W TO220F
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.704
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 29 - Jun 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FGPF7N60LSDTU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGPF7N60LSDTU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGPF7N60LSDTU, FGPF7N60LSDTU Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 795,79 KB)
PDFFGPF7N60LSDTU Datenblatt Cover
FGPF7N60LSDTU Datenblatt Seite 2 FGPF7N60LSDTU Datenblatt Seite 3 FGPF7N60LSDTU Datenblatt Seite 4 FGPF7N60LSDTU Datenblatt Seite 5 FGPF7N60LSDTU Datenblatt Seite 6 FGPF7N60LSDTU Datenblatt Seite 7 FGPF7N60LSDTU Datenblatt Seite 8 FGPF7N60LSDTU Datenblatt Seite 9

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FGPF7N60LSDTU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)14A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)21A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 7A
Leistung - max45W
Schaltenergie270µJ (on), 3.8mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge24nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.120ns/410ns
Testbedingung300V, 7A, 470Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)65ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3 Full Pack
LieferantengerätepaketTO-220F

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

5V @ 15V, 11A

Leistung - max

190W

Schaltenergie

900µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

65nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

36ns/160ns

Testbedingung

850V, 16A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

RJH60F6DPQ-A0#T0

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

85A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.75V @ 15V, 45A

Leistung - max

297.6W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

58ns/131ns

Testbedingung

400V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

90ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247A

RJH1CF6RDPQ-80#T2

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 30A

Leistung - max

227.2W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

AOT5B60D

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Alpha IGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

20A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 5A

Leistung - max

82.4W

Schaltenergie

140µJ (on), 40µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

9.4nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/83ns

Testbedingung

400V, 5A, 60Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

98ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220

FGA15N120ANTDTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT and Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 15A

Leistung - max

186W

Schaltenergie

3mJ (on), 600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/160ns

Testbedingung

600V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

330ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Kürzlich verkauft

ADUM1400BRW

ADUM1400BRW

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

MTD20P03HDLT4

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MOSFET P-CH 30V 19A DPAK

MAX15006AATT/V+T

MAX15006AATT/V+T

Maxim Integrated

IC REG LINEAR 3.3V 50MA 6TDFN

B3F-1000

B3F-1000

Omron Electronics Inc-EMC Div

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V

AD623ARZ

AD623ARZ

Analog Devices

IC INST AMP 1 CIRCUIT 8SOIC

MPX5010DP

MPX5010DP

NXP

SENSOR DIFF PRESS 1.45 PSI MAX

MAX16054AZT+T

MAX16054AZT+T

Maxim Integrated

IC CNTRLR ON/OFF W/DEB TSOT23-6

MX29GL512FLT2I-10Q

MX29GL512FLT2I-10Q

Macronix

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

SMBJ10A

SMBJ10A

Taiwan Semiconductor Corporation

TVS DIODE 10V 17V DO214AA

AD8031ARZ

AD8031ARZ

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IC OPAMP VFB 1 CIRCUIT 8SOIC

LT1963AEST-2.5#PBF

LT1963AEST-2.5#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR 2.5V 1.5A SOT223-3

WSL251200000ZEA9

WSL251200000ZEA9

Vishay Dale

RES 0 OHM JUMPER 2512