FGY75T120SQDN
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| Teilenummer | FGY75T120SQDN |
| PNEDA Teilenummer | FGY75T120SQDN |
| Beschreibung | IGBT 1200V 75A UFS |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.878 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 20 - Mai 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FGY75T120SQDN Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGY75T120SQDN |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGY75T120SQDN Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 150A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 300A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 75A |
| Leistung - max | 790W |
| Schaltenergie | 6.25mJ (on), 1.96mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 399nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 64ns/332ns |
| Testbedingung | 600V, 75A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 99ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 430V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 5V @ 15V, 240A Leistung - max 30W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. 46ns/140ns Testbedingung 320V, 240A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FI(LS) |
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