Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FJ6K01010L

FJ6K01010L

Nur als Referenz

Teilenummer FJ6K01010L
PNEDA Teilenummer FJ6K01010L
Beschreibung MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6
Hersteller Panasonic Electronic Components
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.996
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 24 - Mai 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FJ6K01010L Ressourcen

Marke Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFJ6K01010L
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FJ6K01010L, FJ6K01010L Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 315,39 KB)
PDFFJ6K01010L Datenblatt Cover
FJ6K01010L Datenblatt Seite 2 FJ6K01010L Datenblatt Seite 3 FJ6K01010L Datenblatt Seite 4 FJ6K01010L Datenblatt Seite 5 FJ6K01010L Datenblatt Seite 6 FJ6K01010L Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • FJ6K01010L Datasheet
  • where to find FJ6K01010L
  • Panasonic Electronic Components

  • Panasonic Electronic Components FJ6K01010L
  • FJ6K01010L PDF Datasheet
  • FJ6K01010L Stock

  • FJ6K01010L Pinout
  • Datasheet FJ6K01010L
  • FJ6K01010L Supplier

  • Panasonic Electronic Components Distributor
  • FJ6K01010L Price
  • FJ6K01010L Distributor

FJ6K01010L Technische Daten

HerstellerPanasonic Electronic Components
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs34mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1400pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)700mW (Ta)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketWSMini6-F1-B
Paket / Fall6-SMD, Flat Leads

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

STL60N3LLH5

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ V

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

60A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.1mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±22V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1290pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

60W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerFlat™ (5x6)

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

6.5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

200nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1250W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

Paket / Fall

TO-247-3

IRL620STRR

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

800mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 5V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

360pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta), 50W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPSA70R1K4P7SAKMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P7

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

700V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 700mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 40µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.7nC @ 400V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

158pF @ 400V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

22.7W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO251-3

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarHT™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4150pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

460W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PLUS-220SMD

Paket / Fall

PLUS-220SMD

Kürzlich verkauft

MBR0540T1G

MBR0540T1G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD123

MAX1823BEUB+

MAX1823BEUB+

Maxim Integrated

IC SW USB DUAL W/FB 10-UMAX

CY14B256LA-SZ25XIT

CY14B256LA-SZ25XIT

Cypress Semiconductor

IC NVSRAM 256K PARALLEL 32SOIC

MAX811REUS-T

MAX811REUS-T

Maxim Integrated

IC MPU V-MONITOR 2.63V SOT143-4

AD8603AUJZ-REEL7

AD8603AUJZ-REEL7

Analog Devices

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT TSOT5

PC28F00AP30EFA

PC28F00AP30EFA

Micron Technology Inc.

IC FLASH 1G PARALLEL 64EASYBGA

AD8556ARZ

AD8556ARZ

Analog Devices

IC OPAMP ZERO-DRIFT 1 CIRC 8SOIC

ISL4221EIRZ-T

ISL4221EIRZ-T

Renesas Electronics America Inc.

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 16QFN

AT88SC25616C-SU

AT88SC25616C-SU

Microchip Technology

IC EEPROM 256K I2C 5MHZ 8SOIC

021702.5MXP

021702.5MXP

Littelfuse

FUSE GLASS 2.5A 250VAC 5X20MM

MAX7360ETL+

MAX7360ETL+

Maxim Integrated

IC CTRLR KEY-SW I2C 40TQFN

MAX232EWE+

MAX232EWE+

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOIC