FJX597JCTF
Nur als Referenz
| Teilenummer | FJX597JCTF | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | FJX597JCTF | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | JFET N-CH 20V 0.1W SOT323 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 59.355 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 13 - Jun 18 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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FJX597JCTF Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FJX597JCTF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
| Datenblatt |
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FJX597JCTF Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | 20V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 210µA @ 5V |
| Stromaufnahme (Id) - max | 1mA |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | 600mV @ 1µA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3.5pF @ 5V |
| Widerstand - RDS (Ein) | - |
| Leistung - max | 100mW |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-70, SOT-323 |
| Lieferantengerätepaket | SC-70 (SOT323) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 20V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 300µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 8V @ 10µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 32pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 350mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/375 FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 50V Drain to Source Voltage (Vdss) 50V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2.5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 4V @ 0.5nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 300mW Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-72 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 40V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 15mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 2V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 16pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein) 50 Ohms Leistung - max 625mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
