FK8V03030L
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| Teilenummer | FK8V03030L |
| PNEDA Teilenummer | FK8V03030L |
| Beschreibung | MOSFET N CH 33V 12A WMINI8 |
| Hersteller | Panasonic Electronic Components |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.194 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FK8V03030L Ressourcen
| Marke | Panasonic Electronic Components |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FK8V03030L |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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FK8V03030L Technische Daten
| Hersteller | Panasonic Electronic Components |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 33V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 12A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1.73mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.2nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1W (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | WMini8-F1 |
| Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 33A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2020pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 185mOhm @ 1.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 420pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.8W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-223 Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 55A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2108pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 114W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DPAK Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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