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FMG1G100US60L

FMG1G100US60L

Nur als Referenz

Teilenummer FMG1G100US60L
PNEDA Teilenummer FMG1G100US60L
Beschreibung IGBT MOLDING 600V 100A 7PM-GA
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 3.186
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 3 - Nov 8 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FMG1G100US60L Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFMG1G100US60L
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
FMG1G100US60L, FMG1G100US60L Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 663,46 KB)
PDFFMG1G100US60L Datenblatt Cover
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FMG1G100US60L Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
KonfigurationSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100A
Leistung - max400W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce10.84nF @ 30V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / Fall7PM-GA
Lieferantengerätepaket7PM-GA

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

420A

Leistung - max

1700W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

3.3mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

17nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Y3-Li

Lieferantengerätepaket

Y3-Li

FZ1200R12KL4CNOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

FF450R33T3E3B5BPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

XHP™3

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

450A

Leistung - max

1000000W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 450A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

84nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

AG-XHP100-6

BSM50GP120BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

BSM25GP120BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Leistung - max

230W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.55V @ 15V, 25A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

20A

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.5nF @ 25V

Eingabe

Three Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

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