FMM150-0075X2F
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| Teilenummer | FMM150-0075X2F |
| PNEDA Teilenummer | FMM150-0075X2F |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 75V 120A I4-PAC-5 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.304 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FMM150-0075X2F Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FMM150-0075X2F |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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FMM150-0075X2F Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | HiPerFET™, TrenchT2™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 120A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 178nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10500pF @ 25V |
| Leistung - max | 170W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | ISOPLUSi5-Pak™ |
| Lieferantengerätepaket | ISOPLUS i4-PAC™ |
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Hersteller Monolithic Power Systems Inc. Serie - FET-Typ 3 N-Channel, Common Gate FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 80mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 190Ohm @ 10mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.3W Betriebstemperatur -20°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
