FMP76-010T
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| Teilenummer | FMP76-010T |
| PNEDA Teilenummer | FMP76-010T |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 100V 62A/54A I4PAC |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.040 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FMP76-010T Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FMP76-010T |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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FMP76-010T Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | Trench™ |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 62A, 54A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 104nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5080pF @ 25V |
| Leistung - max | 89W, 132W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | i4-Pac™-5 |
| Lieferantengerätepaket | ISOPLUS i4-PAC™ |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.4W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® SO-8 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual |
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