FMP76-010T
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| Teilenummer | FMP76-010T |
| PNEDA Teilenummer | FMP76-010T |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 100V 62A/54A I4PAC |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.040 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FMP76-010T Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FMP76-010T |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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FMP76-010T Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | Trench™ |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 62A, 54A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 104nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5080pF @ 25V |
| Leistung - max | 89W, 132W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | i4-Pac™-5 |
| Lieferantengerätepaket | ISOPLUS i4-PAC™ |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 542pF @ 10V Leistung - max 1.3W (Ta) Betriebstemperatur 150°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-XFLGA Lieferantengerätepaket 4-EFLIP-LGA (1.62x1.62) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12.5pF @ 15V Leistung - max 125mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-963 Lieferantengerätepaket SOT-963 |
Hersteller Advanced Linear Devices Inc. Serie EPAD®, Zero Threshold™ FET-Typ 4 N-Channel, Matched Pair FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 80mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 25Ohm Vgs (th) (Max) @ Id 10mV @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15pF @ 5V Leistung - max 500mW Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 16-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 16-PDIP |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 680mA, 460mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V Leistung - max 700mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket SuperSOT™-6 |
