FP25R12KT3BOSA1
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| Teilenummer | FP25R12KT3BOSA1 |
| PNEDA Teilenummer | FP25R12KT3BOSA1 |
| Beschreibung | IGBT MODULE VCES 1200V 40A |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.326 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 18 - Mai 23 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FP25R12KT3BOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FP25R12KT3BOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
FP25R12KT3BOSA1, FP25R12KT3BOSA1 Datenblatt
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FP25R12KT3BOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | Three Phase Inverter |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 40A |
| Leistung - max | 155W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 25A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 5mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 1.8nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration 2 Independent Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max 5000W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 1200A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 86nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 130A Leistung - max 780W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 6.5nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP3 Lieferantengerätepaket SP3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration 2 Independent Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 580A Leistung - max 2000W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 400A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 28nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500A Leistung - max 1250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 400A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 24nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall D-3 Module Lieferantengerätepaket D3 |
