FP35R12W2T4B11BOMA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | FP35R12W2T4B11BOMA1 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | FP35R12W2T4B11BOMA1 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT MODULE 1200V 35A | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
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| Auf Lager | 3.596 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 15 - Jul 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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FP35R12W2T4B11BOMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FP35R12W2T4B11BOMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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FP35R12W2T4B11BOMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Konfiguration | Three Phase Inverter |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 54A |
| Leistung - max | 215W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 35A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120A Leistung - max 520W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 6.5nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall D1 Lieferantengerätepaket D1 |
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