FP50R12KT4GB15BOSA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | FP50R12KT4GB15BOSA1 |
| PNEDA Teilenummer | FP50R12KT4GB15BOSA1 |
| Beschreibung | IGBT MODULE VCES 600V 50A |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.682 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 15 - Jun 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FP50R12KT4GB15BOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FP50R12KT4GB15BOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
FP50R12KT4GB15BOSA1, FP50R12KT4GB15BOSA1 Datenblatt
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FP50R12KT4GB15BOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Konfiguration | Three Phase Inverter |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50A |
| Leistung - max | 280W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 50A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 2.8nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 400A Leistung - max 1500W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 27nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Three Phase Inverter with Brake Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Leistung - max 89W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 20A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 1.277nF @ 30V Eingabe Single Phase Bridge Rectifier NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 25PM-AA Lieferantengerätepaket 25PM-AA |
Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® IGBT-Typ PT Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 128A Leistung - max 543W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 7.04nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall ISOTOP Lieferantengerätepaket ISOTOP® |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Konfiguration Single Switch Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 4930A Leistung - max 19000W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 3600A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 225nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200A Leistung - max 695W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 3mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 8.5nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall D1 Lieferantengerätepaket D1 |
