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FQA62N25C

FQA62N25C

Nur als Referenz

Teilenummer FQA62N25C
PNEDA Teilenummer FQA62N25C
Beschreibung MOSFET N-CH 250V 62A TO-3P
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 9.228
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 18 - Mai 23 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FQA62N25C Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFQA62N25C
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FQA62N25C, FQA62N25C Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 2.149,9 KB)
PDFFQA62N25C Datenblatt Cover
FQA62N25C Datenblatt Seite 2 FQA62N25C Datenblatt Seite 3 FQA62N25C Datenblatt Seite 4 FQA62N25C Datenblatt Seite 5 FQA62N25C Datenblatt Seite 6 FQA62N25C Datenblatt Seite 7 FQA62N25C Datenblatt Seite 8 FQA62N25C Datenblatt Seite 9 FQA62N25C Datenblatt Seite 10

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FQA62N25C Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieQFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)250V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.62A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 31A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs130nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds6280pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)298W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-3PN
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IXTH48N20

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

48A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

275W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXTH)

Paket / Fall

TO-247-3

IRFL014TRPBF

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 1.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2W (Ta), 3.1W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-223

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

SIHB35N60E-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

32A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

94mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

132nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2760pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

250W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

CSD17553Q5A

Texas Instruments

Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

23.5A (Ta), 100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.1mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21.5nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3252pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-VSONP (5x6)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

MCH6320-TL-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.6nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

405pF @ 6V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.5W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-MCPH

Paket / Fall

6-SMD, Flat Leads

Kürzlich verkauft

WSL1206R0500FEA

WSL1206R0500FEA

Vishay Dale

RES 0.05 OHM 1% 1/4W 1206

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TAJA226K010RNJ

CAP TANT 22UF 10% 10V 1206

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LT1129IS8#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LIN POS ADJ 700MA 8SOIC

LTST-C190KFKT

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Lite-On Inc.

LED ORANGE CLEAR CHIP SMD

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STMicroelectronics

ACCEL 2-16G I2C/SPI 12LGA

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Bel Fuse

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UDZVTE-177.5B

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LTC3882EUJ#PBF

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Linear Technology/Analog Devices

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MBR130LSFT1G

MBR130LSFT1G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD123L