FQAF8N80
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Teilenummer | FQAF8N80 |
PNEDA Teilenummer | FQAF8N80 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 5.9A TO-3PF |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 8.856 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FQAF8N80 Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module |
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Mfr. Artikelnummer | FQAF8N80 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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FQAF8N80 Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | QFET® |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5.9A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2.95A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2350pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 107W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-3PF |
Paket / Fall | TO-3P-3 Full Pack |
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