FQB12N60TM_AM002
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| Teilenummer | FQB12N60TM_AM002 |
| PNEDA Teilenummer | FQB12N60TM_AM002 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 10.5A D2PAK |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.240 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 19 - Mai 24 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FQB12N60TM_AM002 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FQB12N60TM_AM002 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
FQB12N60TM_AM002, FQB12N60TM_AM002 Datenblatt
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FQB12N60TM_AM002 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | QFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 10.5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 5.3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3.13W (Ta), 180W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D²PAK (TO-263AB) |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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