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FQB5N50CFTM

FQB5N50CFTM

Nur als Referenz

Teilenummer FQB5N50CFTM
PNEDA Teilenummer FQB5N50CFTM
Beschreibung MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 4.950
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FQB5N50CFTM Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFQB5N50CFTM
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FQB5N50CFTM, FQB5N50CFTM Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 700,63 KB)
PDFFQB5N50CFTM Datenblatt Cover
FQB5N50CFTM Datenblatt Seite 2 FQB5N50CFTM Datenblatt Seite 3 FQB5N50CFTM Datenblatt Seite 4 FQB5N50CFTM Datenblatt Seite 5 FQB5N50CFTM Datenblatt Seite 6 FQB5N50CFTM Datenblatt Seite 7 FQB5N50CFTM Datenblatt Seite 8

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FQB5N50CFTM Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieFRFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.55Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds625pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)96W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD²PAK (TO-263AB)
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

29A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

170mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

320W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

Paket / Fall

ISOPLUS247™

SI2301A-TP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.8A

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14.5nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

880pF @ 6V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.25W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

IXFL60N80P

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarHT™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

250nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

18000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

625W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS264™

Paket / Fall

ISOPLUS264™

2N6766

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

115nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

4W (Ta), 150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3

Paket / Fall

TO-204AE

STP7N105K5

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH5™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1050V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

380pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

110W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220

Paket / Fall

TO-220-3

Kürzlich verkauft

LTM8074IY#PBF

LTM8074IY#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG BUCK ADJ 1.2A 25BGA

FDD86540

FDD86540

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 60V 50A DPAK-3

FIN1019MTCX

FIN1019MTCX

ON Semiconductor

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 14TSSOP

MAX5056BASA+

MAX5056BASA+

Maxim Integrated

IC MOSFET DRVR DUAL 8-SOIC

LTST-C191KSKT

LTST-C191KSKT

Lite-On Inc.

LED YELLOW CLEAR SMD

LIS35DE

LIS35DE

STMicroelectronics

ACCEL 2.3-9.2G I2C/SPI 14LGA

A700X157M010ATE015

A700X157M010ATE015

KEMET

CAP ALUM POLY 150UF 20% 10V SMD

744043101

744043101

Wurth Electronics

FIXED IND 100UH 510MA 600 MOHM

EDF1DS-E3/77

EDF1DS-E3/77

Vishay Semiconductor Diodes Division

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DFS

AT88SC25616C-SU

AT88SC25616C-SU

Microchip Technology

IC EEPROM 256K I2C 5MHZ 8SOIC

ACS712ELCTR-05B-T

ACS712ELCTR-05B-T

Allegro MicroSystems, LLC

SENSOR CURRENT HALL 5A AC/DC

MC33174DR2G

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ON Semiconductor

IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14SOIC