FQNL2N50BBU
Nur als Referenz
| Teilenummer | FQNL2N50BBU |
| PNEDA Teilenummer | FQNL2N50BBU |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92L |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.280 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 11 - Jul 16 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
FQNL2N50BBU Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | FQNL2N50BBU |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- FQNL2N50BBU Datasheet
- where to find FQNL2N50BBU
- ON Semiconductor
- ON Semiconductor FQNL2N50BBU
- FQNL2N50BBU PDF Datasheet
- FQNL2N50BBU Stock
- FQNL2N50BBU Pinout
- Datasheet FQNL2N50BBU
- FQNL2N50BBU Supplier
- ON Semiconductor Distributor
- FQNL2N50BBU Price
- FQNL2N50BBU Distributor
FQNL2N50BBU Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | QFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 350mA (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3Ohm @ 175mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.5W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-92-3 |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DFN2020MD-6 Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1169pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 44.6W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket ITO-220S Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 17A (Ta), 45A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 36µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 83W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263AB) Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller NXP USA Inc. Serie TrenchMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1.75A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.2nC @ 5V Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 374pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 6.9W (Tc) Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-223 Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA |
Hersteller STMicroelectronics Serie STripFET™ FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 22.5mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2390pF @ 16V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.6W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-23-6 Paket / Fall SOT-23-6 |
