Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FQP1P50

FQP1P50

Nur als Referenz

Teilenummer FQP1P50
PNEDA Teilenummer FQP1P50
Beschreibung MOSFET P-CH 500V 1.5A TO-220
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 8.100
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 16 - Jun 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FQP1P50 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFQP1P50
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FQP1P50, FQP1P50 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 637,81 KB)
PDFFQP1P50 Datenblatt Cover
FQP1P50 Datenblatt Seite 2 FQP1P50 Datenblatt Seite 3 FQP1P50 Datenblatt Seite 4 FQP1P50 Datenblatt Seite 5 FQP1P50 Datenblatt Seite 6 FQP1P50 Datenblatt Seite 7 FQP1P50 Datenblatt Seite 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • FQP1P50 Datasheet
  • where to find FQP1P50
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FQP1P50
  • FQP1P50 PDF Datasheet
  • FQP1P50 Stock

  • FQP1P50 Pinout
  • Datasheet FQP1P50
  • FQP1P50 Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FQP1P50 Price
  • FQP1P50 Distributor

FQP1P50 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieQFET®
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.1.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs10.5Ohm @ 750mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds350pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)63W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220-3
Paket / FallTO-220-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRL3402STRR

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

85A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 7V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 51A, 7V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

78nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3300pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

110W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPA60R080P7XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P7

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

37A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 11.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 590µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

51nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2180pF @ 400V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

29W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220 Full Pack

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

NDP6030PL

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1570pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

75W (Tc)

Betriebstemperatur

-65°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

STP4NB50

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.8Ohm @ 1.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

80W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

IXFT23N60Q

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

23A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

320mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

400W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-268

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Kürzlich verkauft

ADM211ARSZ-REEL

ADM211ARSZ-REEL

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 4/5 28SSOP

LM2596DSADJR4G

LM2596DSADJR4G

ON Semiconductor

IC REG MULT CONFG ADJ 3A D2PAK-5

SMBJ15A-E3/52

SMBJ15A-E3/52

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 15V 24.4V DO214AA

EP5358HUI

EP5358HUI

Intel

DC DC CONVERTER 1.8-3.3V 2W

DS2482S-100+T&R

DS2482S-100+T&R

Maxim Integrated

IC I2C TO 1WIRE BRIDGE 8SOIC

V5.5MLA0603NH

V5.5MLA0603NH

Littelfuse

VARISTOR 8.2V 30A 0603

ACF451832-153-TD01

ACF451832-153-TD01

TDK

FILTER LC(T) SMD

SD05.TCT

SD05.TCT

Semtech

TVS DIODE 5V 14.5V SOD323

MC34844AEPR2

MC34844AEPR2

NXP

IC LED DRVR RGLTR DIM 80MA 32QFN

PC28F256P30TFE

PC28F256P30TFE

Micron Technology Inc.

IC FLASH 256M PARALLEL 64EASYBGA

ADXL355BEZ

ADXL355BEZ

Analog Devices

ACCEL 2-8G I2C/SPI 14CLCC

ACS724LLCTR-20AB-T

ACS724LLCTR-20AB-T

Allegro MicroSystems, LLC

SENSOR CURRENT HALL 20A AC/DC