Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FQPF14N30

FQPF14N30

Nur als Referenz

Teilenummer FQPF14N30
PNEDA Teilenummer FQPF14N30
Beschreibung MOSFET N-CH 300V 8.5A TO-220F
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.798
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 23 - Mai 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FQPF14N30 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFQPF14N30
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FQPF14N30, FQPF14N30 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 709,28 KB)
PDFFQPF14N30 Datenblatt Cover
FQPF14N30 Datenblatt Seite 2 FQPF14N30 Datenblatt Seite 3 FQPF14N30 Datenblatt Seite 4 FQPF14N30 Datenblatt Seite 5 FQPF14N30 Datenblatt Seite 6 FQPF14N30 Datenblatt Seite 7 FQPF14N30 Datenblatt Seite 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • FQPF14N30 Datasheet
  • where to find FQPF14N30
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FQPF14N30
  • FQPF14N30 PDF Datasheet
  • FQPF14N30 Stock

  • FQPF14N30 Pinout
  • Datasheet FQPF14N30
  • FQPF14N30 Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FQPF14N30 Price
  • FQPF14N30 Distributor

FQPF14N30 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieQFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)300V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.8.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs290mOhm @ 4.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1360pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)50W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220F
Paket / FallTO-220-3 Full Pack

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SI1405BDH-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

8V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

112mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.5nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

305pF @ 4V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.47W (Ta), 2.27W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SC-70-6 (SOT-363)

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

SI4396DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1675pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta), 5.4W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

STB11NM60FDT4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

FDmesh™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

160W (Tc)

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SI5853DDC-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

LITTLE FOOT®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 8V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

320pF @ 10V

FET-Funktion

Schottky Diode (Isolated)

Verlustleistung (max.)

1.3W (Ta), 3.1W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

1206-8 ChipFET™

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

FDMC86160ET100

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9A (Ta), 43A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1290pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.8W (Ta), 65W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

Power33

Paket / Fall

8-PowerWDFN

Kürzlich verkauft

89HP0604SBZBNRGI

89HP0604SBZBNRGI

IDT, Integrated Device Technology

IC REDRIVER SAS/SATA 36VFQFPN

ADUM1401ARWZ

ADUM1401ARWZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

ATMEGA168PA-MUR

ATMEGA168PA-MUR

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 16KB FLASH 32VQFN

AD22037Z

AD22037Z

Analog Devices

ACCELEROMETER 18G ANALOG 8CLCC

MAX9100EUK+T

MAX9100EUK+T

Maxim Integrated

IC COMPARATOR R-R SOT23-5

AK4458VN

AK4458VN

AKM Semiconductor Inc.

IC DAC/AUDIO 32BIT 768K 48QFN

BAT43WS-7-F

BAT43WS-7-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323

DS5000T-32-16+

DS5000T-32-16+

Maxim Integrated

IC MCU 8BIT 32KB NVSRAM 40EDIP

M24512-RMC6TG

M24512-RMC6TG

STMicroelectronics

IC EEPROM 512K I2C 1MHZ 8UFDFPN

ADM3222ARSZ

ADM3222ARSZ

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 20SSOP

74HC164D

74HC164D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC SHIFT REGISTER 8BIT 14SOP

CG0603MLC-05LE

CG0603MLC-05LE

Bourns

VARISTOR 0603